Компания Samsung объявила о завершении разработки первых чипов оперативной памяти DDR3 плотностью 2 Гбит по нормам 30-нанометрового класса. Сфера применения таких чипов в составе модулей памяти охватывает настольные ПК, ноутбуки, сервера, а также нетбуки и мобильные устройства.
Внедрение 30-нм технологического процесса в массовое производство DRAM DDR3 приведёт к приросту производительности на 60% по сравнению с 40-нм классом. Производство новых чипов является вдвое рентабельнее более ранних поколений по нормам 50-нм и 60-нм. Кроме того, новые продукты показывают высокую эффективность. По сравнению с 50-нм изделиями, их энергопотребление снижено на 30%. Микросхемы рассчитаны на рабочее напряжение 1,35 и 1,5 В. Массовое производство DRAM DDR3 по нормам 30-нанометрового класса намечено на вторую половину текущего года.
Samsung делает значительные успехи в освоении новых технологий. Напомним, что недавно компания первой освоила выпуск 3-битной флэш-памяти MLC NAND, а вскоре нашла ей применение в готовых продуктах: модулях памяти moviNAND объемом 64 ГБ и картах памяти формата microSD объемом 32 ГБ.
